三安集成副總經理楊健、金龍新能源總經理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰略合作框架協議。福建省汽車工業集團公司總經理陳建業、廈門金龍汽車集團公司副總裁吳文彬等出席簽約儀式。

 

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，因其寬禁帶特性，擁有硅（Si）器件無法比擬的電氣性能。碳化硅是硅材料禁帶寬度的3倍左右，能承受更高的工溫度和工作電壓；碳化硅材料擁有更高的電子飽和漂移速率，使其開關頻率更高、開關損耗更小。

 

在純電動汽車的“功率交換器、車載充電器和電機控制器”中采用碳化硅功率器件：能有效減小散熱系統體積；顯著提高工作頻率進而減小無源器件體積、提高功率密度；顯著降低電機控制器的能耗。簡言之，令電動汽車實現電氣系統輕量化、低損耗快速充電、承載更大功率和提供更長續航里程。

 

目前碳化硅功率器件成本仍相對較高，但隨著全球產業化進程和產能不斷提升，將有效解決成本問題，車企提前投入研發和布局可謂是明智之舉。

 

三安集成垂直整合第三代半導體產業鏈，提供從晶體生長、襯底加工、外延生長、器件設計、芯片制造到器件封測，以及完善的失效分析能力，全面把控產品一致性和可靠性。目前已經推出1200V/650V碳化硅肖特基二極管（MPS結構）以及650V氮化鎵E-HEMT產品，1200V碳化硅MOSFET產品也將于2020年Q4推出。三安集成積極參與國家新能源汽車技術創新中心“中國車規半導體首批測試驗證項目”，搭載三安集成碳化硅功率器件的純電動汽車按照汽車行業測試標準，分別進行試驗室功性能、常溫試驗場、高溫試驗場、高寒試驗場測試，在不同工況下均表現出優異性能和卓越可靠性。

 

今年7月三安集成宣布長沙碳化硅制造基地動工建設，總投資160億元，占地面積1000畝，是具有自主知識產權的襯底、外延、芯片及封裝全產業鏈生產基地。項目全面建成后，碳化硅功率器件產能將從目前的2.4萬片/年提升至36萬片/年。三安集成開放的制造平臺，愿攜手產業鏈伙伴和新能源汽車客戶，共同加速功率半導體從硅向碳化硅的轉換。

 

三安集成副總經理楊健表示，本次非常榮幸能與中國客車龍頭企業金龍新能源達成戰略合作框架協議。我們也歡迎更多全球整車、零部件企業與三安一同探討車規級第三代半導體的應用，讓所有人的出行更清潔、更節能。